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« GaN on silicon » : une avancée technologique pour l’éclairage LED.

Dans le dernier LED Magazine, John Ellis, ingénieur en chef chez Plessey Semiconductors prédit que l’industrie des LEDs prendra avantage des substrats à bas prix, utilisés par l’industrie des IC.

Les performances des LEDs sur la dernière décennie ont tout simplement été phénoménales : elles affichent une performance de 50% d’efficacité, c’est-à-dire que 50% de la puissance appliquée est émise sous forme de lumière. Les résultats en laboratoire poussent même jusqu’à 60%. Cependant les avancées de l’éclairage LED restent limitées aux coûts des produits LED, développée sur saphir ou carbure, un verrou qui devrait sauter notamment du fait de la technologie de nitrure de gallium sur silicone (GaN-on-Si). Des avancées notables ont été développées pour optimiser la couche tampon du GaN-on-Si, ainsi que le puits quantique des LEDs de hautes performances, réduire les dislocations résiduelles. Dans les 12 prochains mois, les LEDs GaN-on-Si devraient atteindre les performances des LEDs GaN-on-sapphire et offrir une réduction importante du prix.

 

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